Популярность ИИ-технологий и связанных с ними ускорителей вычислений подстегнула производителей памяти побыстрее выводить на рынок новые микросхемы многослойной памяти типа HBM. Буквально в один день появилась информация об успехах Micron и Samsung в этом направлении.
Оба производителя готовят самые быстрые и ёмкие чипы памяти HBM3e. Так Micron уже запустила их массовое производство, а Samsung собирается в ближайшее время.
Чипы Micron набраны 8 стеками с пропускной способностью 1,2 ТБ/с и ёмкостью 24 ГБ. Производитель отдельно выделяет на 30% меньшее энергопотребление относительно конкурентных решений. Чипы Micron HBM3e найдут применение в новой версии ускорителя H200 со 141 ГБ памяти и общей пропускной способностью 4,8 ТБ/с. В будущем Micron хочет увеличить количество стеков до 12, вместе с тем ёмкость вырастет до 36 ГБ.
В свою очередь Samsung только завершила разработку и только готовится к запуску серийного производства в первой половине этого года, но их разработка на шаг впереди. В чипах Samsung HBM3e сразу объединены 12 стеков, а пропускная способность достигает 1,28 ТБ/с.
Источники:
Techpowerup (Samsung)
Techpowerup (Micron)