Обзор комплекта оперативной памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB серии Ares объемом 16 ГБ

Компания G.Skill, представив линейку памяти Ares, заняла весьма важную для себя нишу в сегменте рынка оперативной памяти. Высокочастотные модули работающие при напряжении питания 1.5-1.65 В оснащены низкими радиаторами, что лишает их проблем совместимости с практически любым процессорным кулером. Комплект оперативной памяти G.Skill F3-2133C9D-8GAB объемом 8 ГБ уже успел пройти тестирование в нашей лаборатории. Однако данный комплект не является обладателем наибольшего объема среди двухканальных комплектов. Это место отведено для комплекта F3-1866C10D-16GAB, объемом 16 ГБ.

Комплект оперативной памяти F3-1866C10D-16GAB, как и его младший собрат, поставляется в прозрачном пластиковом блистере, внутри которого прекрасно просматриваются модули памяти. Данный комплект является двухканальным, и потому состоит из двух модулей, каждый объемом 8 ГБ. Суммарный объем обоих модулей равен 16 ГБ.

На обратной стороне блистера просматривается наклейка, позволяющая идентифицировать именно данный комплект. В данном случае маркировка F3-1866C10D-16GAB гласит — F3 – DDR3 память, 1866 – частота, C10 – значение тайминга CL, D – двухканальный комплект, 16G – общий объем модулей, A – линейка Ares, B – цвет радиатора, в данной случае Blue (голубой).

Модули основаны на текстолите темно-коричневого цвета. Непосредственно на сами чипы памяти наклеены алюминиевые радиаторы, окрашенные в голубой цвет.

Каждый из модулей имеет уникальный серийный номер, который нанесен на специальный стикер. Данный стикер также обладает информаций о частоте, количестве модулей в комплекте, таймингах и напряжении питания.

С помощью бытового фена радиаторы были с легкостью демонтированы, благодаря чему можно более детально изучить модули памяти.
Модули являются двусторонними – на каждой из сторон размещено по 8 микросхем памяти.

В данном случае были использованы микросхемы производства компании Micron с маркировкой D9NZZ. К сожалению, мне ничего не удалось найти про статистику разгона памяти на конкретных чипах. Единственная найденная фотография на азиатском форуме и комментарий к ней сообщали что чипы D9NZZ встречаются на бюджетных модулях памяти объёмом 8 ГБ с частотой 1333 МГц и системными задержками CL9-9-9. Скажу прямо, не густо…

Чипы памяти распаяны на восьмислойной печатной плате B83U854 1.00 производства Brain Power. Такая же плата была использована на модулях G.Skill F3-2133C9D-8GAB, а также довольно часто встречается на высокочастотных оверклокерских комплектах.

В одном из углов платы находится гарантийная наклейка «G.SKILL Warranty» снимать которую не следует, к тому же под ней ничего не скрывается .

За хранение SPD отвечает микросхема C1TG701N.

Высота модулей памяти составляет всего 32 мм, а после установки в слот на материнской плате модуль максимально возвышается над ней на высоту 35 мм. Благодаря этому отсутствует проблема совместимости модулей памяти и габаритных процессорных кулеров. Как видно из фото, несмотря на то, что кулер Enermax ETS-T40-TA перекрывает первый слот, не возникает никаких с установкой модулей памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB. Не возникнет их и в случае установки сразу четырех модулей.

В SPD модулей записана следующая информация.

Для выставления повышенных рабочих частот предусмотрено два профиля XMP. Первый профиль с названием Enthusiast позволяет выставить частоту в 1800 МГц, а второй профиль Extreme предназначен для частоты 1866 МГц.

При загрузке профиля XMP#2 меня ждал небольшой сюрприз – система просто отказывалась грузится не пройдя POST. Все дело в том, что в профиле для данных настроек прописано значение тайминга tRFC 243, а материнская плата ASUS Maximus 3 Formula имеет предел по изменению данного тайминга до 200. Повысив напряжение питания с 1.5 до 1.62 В удалось не только успешно загрузить операционную систему, но и успешно пройти тестирование работоспособности с помощью теста memtest 86+в течении 15 минут. Стоит отметить, что моя материнская плата отсутствует на сайте в списке протестированных плат компанией G.Skill.
После борьбы с XMP профилями я перешел к процессу проверки на разгон по частоте памяти. Для чего был использован следующий стенд:
 

Проверка на разгон оперативной памяти по частоте осуществлялась с помощью теста №5 memtest86+ в течение 15 минут. Для этого системные задержки были приведены к виду 8-10-8-30 1T, 9-11-9-30 1T, 10-11-10-30 1T и 10-12-10-30 1T. Напряжение питания контролировались с помощью цифрового мультиметра Uni Trend UT60E и изменялись в диапазоне 1.5-1.8 В с шагом 0.05 В. Проверка осуществлялась при значениях тайминга tRFC равных 150 и 200.
Изначально я решил начать разгон памяти установив тайминги соответствующие профилю XMP#2, а tRFC зафиксировал на значении 150 и CR=1T, как это делал обычно для 4 ГБ модулей. Однако для разгона модулей объемом 8 ГБ этого оказалась недостаточным, а прирост по частоте составил всего 37 МГц, и это при повышении напряжения с 1.5 до 1.8 В.

Затем я повысил значение tRFC до максимального значения позволяемого установить материнской платой, равного 200. Память тут же более резво отозвалась на разгон и в целом разница между режимами tRFC=150 и tRFC=200 составила 60-145 МГц в зависимости от напряжения в пользу второго режима. При этом удалось покорить отметку 2000 МГц, правда для этого потребовалось напряжение питания поднять до 1.7 В. Скорее всего, будь у материнской платы возможность повысить значение tRFC до 250, то это произошло бы при меньшем напряжении, а пока это остается только на уровне догадки.
Затем я провел изучение разгонного потенциала в зависимости от используемого набора таймингов 8-10-8-30 1T, 9-11-9-30 1T и 10-12-10-30 1T при tRFC=200.

Как видно из полученных данных, использование таймингов 9-11-9-30 1T оказалось чуть хуже по итоговой частоте нежели при 10-11-10-30 1T. Набор таймингов 8-10-8-30 1T не подходит для разгона памяти, а итоговая частота при напряжении 1.8 В оказалась ниже частоты заложенной производителем в профиль XMP#2.
Единственным подходящим набором таймингов из проверенных мной является 10-12-10-30 1T. При этом при напряжениях 1.50-1.55 В модули ведут себя как и при 10-11-10-30 1T. Однако с ростом напряжения прирост частоты происходит более активно, и в итоге удалось добиться стабильной частоты 2188 МГц при напряжении 1.8 В, что на 106 МГц выше чем при наборе таймингов 10-11-10-30 1T.
В ходе проведенного мной тестирования оперативная память G.Skill F3-1866C10D-16GAB проявила себя с наилучших сторон. Память обладает должной стабильностью и необходимым запасом по частоте. Рост частоты от напряжения хоть и имеет место быть, но наблюдается он при tRCD=tCL+2 и составляет порядка 200 МГц при увеличении напряжения с 1.5 до 1.8 В.
Конечно, если сравнивать частоты и тайминги 8 ГБ модулей с 4 ГБ, то первые проигрывают довольно сильно. Однако главное преимущество модулей памяти большего объема, это возможность распараллеливания процессов. Если при установленной у меня оперативной памяти объёмом 4 ГБ мне с трудом удавалось обрабатывать фотографии к статье с помощью Lightroom, то при увеличении её объема до 8 ГБ я уже не испытывал с этим проблем. А при увеличении объема памяти до 16 ГБ я спокойно смогу одновременно позволить себе экспорт фото из Lightroom в несколько потоков, обработку видео и серфинг в интернете.
По результатам тестирования комплект оперативной памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB получает награду «Лучшее для дома».

Автор благодарит компанию G.Skill за предоставленный на тестирование комплект оперативной памяти.