Сегодня компания SK Hynix посредством пресс-релиза рапортует и завершении разработки 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4, производимых по техпроцессу 1z-нм. Новые чипы не только удваивают ёмкость, но и позволяют с одной кремниевой пластины получать на 27% больше микросхем, и это без экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), применение которой на данный момент весьма недешёвое удовольствие.
Новые «микрухи» в первую очередь станут основой для модулей DRAM с эффективной частотой до 3200 МГц. Естественно, несколько позже партнёры SK Hynix предложат и более скоростные варианты. Переход с 8-гигабитных на 16-гигабитные чипы памяти также снижает энергопотребление модулей одного объёма на 40% за счёт банально вдвое меньшего количества чипов.
SK Hynix начнёт массовое производство микросхем по технологии 1z-нм в следующем году. Кроме того, данный техпроцесс найдёт применение и в других сегментах памяти, таких как HBM3, новом поколении мобильной DRAM и LPDDR5.
