Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Старые видеокарты AMD получили до 30% прироста производительности в Linux
    • Samsung представила линейку мониторов для CES 2026: 6K-дисплей с 3D и отслеживанием взгляда, а также QHD-панель с режимом 1080p на 1040 Гц
    • Samsung откладывает прекращение выпуска DDR4 из-за долгосрочного контракта с ключевым клиентом
    • LG Display представила первый в мире 4K OLED-монитор с 240 Гц и «честной» RGB-структурой субпикселей
    • Грустишь? Игры Super Mario и Yoshi снижают выгорание и повышают уровень счастья
    • Asus готовит ROG Swift PG32UCDM3 с 240 Гц QD-OLED и покрытием BlackShield
    • Gigabyte отказывается от термогеля в RTX 5070 Ti Windforce V2
    • Инженерные образцы RTX 30XX продолжают всплывать
    Четверг, 25 декабря
    OCClub
    Новости Hardware 10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Старые видеокарты AMD получили до 30% прироста производительности в Linux

    Samsung представила линейку мониторов для CES 2026: 6K-дисплей с 3D и отслеживанием взгляда, а также QHD-панель с режимом 1080p на 1040 Гц

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Gigabyte отказывается от термогеля в RTX 5070 Ti Windforce V2

    23.12.2025

    OptiScaler демонстрирует FSR Redstone в неподдерживаемых играх

    13.12.2025

    Инженерные образцы RTX 30XX продолжают всплывать

    22.12.2025

    Moore Threads представила архитектуру Huagan

    22.12.2025

    Трёхлетний тест RTINGS: OLED оказался надёжнее LCD

    21.12.2025

    Nvidia представила NitroGen — универсальный игровой ИИ

    20.12.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version