В свое время трёхмерная 3D NAND память произвела революцию на рынке флэш-памяти, так она использовала третье измерение (высоту) для объединения нескольких слоёв памяти. Это привело к существенному снижению стоимости 1 ГБ памяти, уменьшению количества необходимой площади для их размещения, увеличило скорость, и повысило планку максимального объёма накопителя – и это только первоочерёдные преимущества. Сейчас же развитие памяти идёт, по сути, в двух направлениях: в наращивании количества слоёв, коих сейчас бывает до 96, и в уплотнении, чему в пример появление QLC-памяти. Определённые видения будущего у каждого производителя свои, и накануне SK Hynix показала концепцию “4D NAND”.
Чип памяти – это не просто сетка ячеек. Чип также содержит вспомогательные функциональные блоки сбоку от ячеек памяти. Под 4D-компоновкой южнокорейский производитель подразумевает размещать функциональные блоки непосредственно под ячейками памяти, и соединять их с ячейками через сквозные перемычки по периферии. Это позволит сделать скачек в количестве слоёв с очевидными преимуществами.
Если конкретнее, первую итерацию SK Hynix 4D NAND мы увидим к концу года в виде 94-слойной TCL-памяти с ёмкостью 512 ГБ, хотя технология готова и для QLC-памяти. В следующем году количество слоёв удвоится, и ёмкость вырастет до 1 ТБ на микросхему. В дальнейшей перспективе заявляется 500-600-слойный «бутерброд».
Также в 2019 году SK Hynix выпустит 4D NAND-память типа QLC.
Источник:
Toms Hardware
