После появления QLC-памяти, где на одну ячейку приходится 4 бита информации, у производителей микросхем памяти типа NAND на ближайшие несколько лет лишь один вектор увеличения плотности микросхем – рост количества слоёв. Накануне компания Samsung отрапортовала о начале производства уже шестого поколения 3D NAND-памяти, которое насчитывает 136 слоёв.
На данный момент Samsung начала массовое производство микросхем ёмкостью 256 ГБ. Ближе к концу года начнётся производство вдвое более ёмких чипов.
Один лишь рост количества слоёв – не всё преимущество новой памяти. В пресс-релизе говорится о на 10% сокращённых задержках при чтении/записи (до 45 мс и 450 мс), снижении потребления на 15%, а также уменьшении физических габаритов микросхем. Первоочерёдно это достигается за счёт новой технологии “травления каналов”. Так количество сквозных отверстий было уменьшено с 930 млн. до 670 млн, что позволило сократить производственные этапы, и тем самым увеличить выход годных микросхем на 20%.
Первыми продуктами Samsung на базе новой памяти станут SSD-накопители потребительского класса объёмом 250 ГБ. К концу года появятся модели ёмкостью 500 ГБ.