Для конкуренции с сверхскоростной памятью Intel 3D XPoint и Samsung Z-NAND компания Toshiba в прошлом году представила свою XL-Flash, более детальные подробности о которой стали известны только в этом. Это память типа SLC, но с в десять раз меньшими задержками по сравнению с текущими итерациями SLC-памяти, а также существенно возросшими показателями IOPS.
Компания Goke Microelectronics, которая является производителем контроллеров для SSD и решений для хранения данных, на Flash Memory Summit 2019 продемонстрировала прототип накопителя Goke 2311. Как можно догадаться из вступительной части, Goke 2311 базируются на памяти Toshiba XL-Flash. Контроллером служит решение собственной разработки.
В плане скоростных показателей прототип Goke 2311 демонстрирует задержки при произвольном чтении 4К-блоков до 20 мкс, а у серийных образцов обещается менее 15 мкс. При последовательных чтении и записи заявлено до 3 ГБ/с и 1 ГБ/с. В серию войдут накопители с ёмкостью до 4 ТБ и интерфейсом PCI-E 3.0 x4.
Ожидается, что накопители Goke 2311 начнут массово производиться в следующем году.
Источник:
Techpowerup
