Для сохранения закона Мура производителям различных микросхем приходится идти на нетривиальные решения, переходя от планарной компоновки транзисторов к трёхмерной. Иными словами, чип должен расти не только вширь, но и вверх. Весьма немалых успехов на этой стезе добились производители микросхем памяти, и в частности памяти типа HBM. Накануне компания Samsung отрапортовала о готовности производить 12-слойные чипы HBM2, что весьма важная веха, поскольку нынешние итерации HBM2 в лучшем случае насчитывают 8 слоёв.
За счёт сокращения межслойного расстояния и толщины самих слоёв общую высоту микросхемы удалось оставить неизменной – 0,72 мм. При том, это обеспечило не только увеличение пропускной способности, но и снижение энергопотребления. Правда, конкретные цифры Samsung не приводят.
На данный момент ёмкость одного слоя памяти HBM2 достигает 1 ГБ, что при умножении на количество слоёв даёт очевидную суммарную ёмкостью. Отныне в одном чипе HBM2 может содержаться до 12 ГБ информации.
В ближайших планах Samsung значится удвоение ёмкости одного слоя. Если/когда всё получится, при условии 12-слойного «бутерброда» один чип HBM2 сможет вмещать до 24 ГБ.
