Китайская компания ChangXin Memory, ранее именовавшаяся Innotron Memory, сообщает о готовности производить микросхемы памяти DRAM типа DDR4 в массовых масштабах. Громогласно ChangXin Memory называет себя “первым и единственным производителем чипов DRAM в Китае”, что не совсем так. Сейчас производственные мощности позволяют выпускать 20 тыс. полупроводниковых пластин ежемесячно.
Чипмейкер производит микросхемы типа LPDDR4 и DDR4 ёмкостью 8 Гбит на базе техпроцесса “10-нанометрового класса”. Фактически это означает нечто промежуточное между 10 нм и 20 нм, и скорее всего это либо 18-нм техпроцесс, либо 19-нм.
Ближе к второму кварталу 2020 года планируется выйти на производство 40 тыс. кремниевых «вафель». К тому времени Fab 2 и Fab 3 выйдут на полную мощность. К слову, всё предприятие базируется в одном комплексе площадью 1 х 1 км с тремя фабриками: производственная и исследовательская Fab 1, и полностью производственные Fab 2 и Fab 3.
Источники:
Techpowerup
EEtimes
