Компания Kioxia, ранее именовавшая себя Toshiba Memory, сегодня объявила о разработке нового типа NAND-памяти Twin BiCS. По сравнению с имеющимися решениями, применяющими технологию круговой ловушки заряда (Circular Charge Trap), новая память использует принцип полукруглой ячейки с плавающим затвором (Floating Gate). Такой подход существенно увеличит плотность микросхемы и позволит «уплотнить» в одну ячейку 5 бит информации. К слову, о памяти типа PLC (Penta-Level Cell) ещё Toshiba рассказывала на Flash Memory Summit 2019 этим летом.
Последние несколько лет рынок памяти преимущественно двигался в сторону наращивания количества слоёв. Сейчас «этажность» перевалила за сотню у некоторых производителей памяти, и это вызывает ряд проблем. Контроль профиля травления, однородности размеров и произвольности становится всё более сложен. Эту проблему и призвана решить концепция полукруглой ячейки.
Kioxia Twin BiCS можно использовать в двух направлениях. Во-первых, это позволит создать высококачественную QLC-память (4 бита/ячейка) с большим ресурсом, ёмкостью, и при меньшем количестве слоёв. Во-вторых, это делает возможным производство памяти типа PLC с пятью битами на ячейку.
Сейчас Kioxia активно работает на Twin BiCS памятью и ищет места её практического применения. К сожалению, каких-либо данных по срокам компания пока не готова назвать.
