В позапрошлом году компания Micron первой приступила к производству 176-слойной памяти NAND, пусть эксклюзивным предложение оставалось недолго. Теперь Micron снова первой представила ещё более «этажные» чипы, насчитывающие рекордные для отрасли 232 слоя.
Для создания 232-слойной памяти Micron считерила, наложив пару 128-слойных кристалла друг на друга, а 24 слоя в процессе соединения «потерялись». В основании собственный внутренний контроллер. Стандартный внешний контроллер, управляющий всем массивом памяти накопителя, по-прежнему требуется. Итоговая ёмкость микросхемы – 1 Тбит – 128 ГБ.
Относительно актуальных 176-слойных NAND-чипов рост ёмкости отсутствует. Однако Micron обещает значительное увеличение пропускной способности. Конкретных цифр нет, но в пресс-релизе так и сказано – «значительное увеличение».
Также Micron раскатала обновленную дорожную карту NAND. Увы, смотреть на ней особо не на что: сейчас 2хх слоёв, потом будет 3хх, а потом 4хх. Годы не указаны – вот и весь «роадмап». 300-слойные чипы на стадии разработки, 400 – в мечтах ранние стадии исследования.
Массовое производство новой 232-слойной памяти Micron планирует наладить к концу года.
