Hardware

Память Samsung V-NAND 7th gen насчитывает 160-слоёв

Память Samsung V-NAND 7th gen насчитывает 160-слоёв

Почти все современные SSD-накопители базируются либо на 64-слойных чипах NAND-памяти, либо на 96-слойных. 128-«этажные» микросхемы NAND вроде как тоже есть, при чём у всех ведущих производителей памяти, и даже китайская YTMC приступила к производству таких решений, но в составе готовых накопителей их пока не найти. Несмотря на то, что и 128 слоёв еще не выведены на рынок, Samsung уже активно работает над следующим шагом – 160-слойными чипами 3D NAND.

Наращивание конкретно слойности скажется на себестоимости гигабайта твердотельной памяти, на максимальной ёмкости накопителя. И ещё конечно на скорости работы, но малозначительно.

По слухам, Samsung применит технологию «двойного стека». До этого южнокорейский чипмейкер обходился «одинарным стеком», хотя другие чипмейкеры уже взяли на вооружение «двойной стек». По-видимому, без другого подхода более 128 слоёв не набрать.

К сожалению, вся информация, которой располагают источники – сам факт того, что следующее поколение памяти Samsung будет 160-слойным. Пока не называются ни фактические приросты ёмкости, ни попутные улучшения, и ответа на пресловутый вопрос “когда?” тоже пока нет.

Источники:
Guru3D
ETNews



Leave a Comment

Your email address will not be published.