Компания SK Hynix посредством пресс-релиза рапортует о полном завершении разработки многослойной памяти четвёртого поколения – HBM3. Относительно нынешней HBM2e, которая применяется в ускорителях NVIDIA A100 и в ближайшем будущем в AMD Instinct MI200 и процессорах Intel Sapphire Rapids, HBM3 существенно более быстрая и ёмкая.
Чип HBM3 насчитывает 8 или 12 кристаллов, соединённых межкремниевыми соединениями типа TSV (Through-Silicon-Via). Каждый из слоёв имеет ёмкость 16 Гбит. В итоге SK Hynix предложит две вариации общей ёмкостью 16 ГБ и 24 ГБ (против 16 ГБ как максимум у HBM2e).
Что касается пропускной способности, чип HBM3 на 78% быстрее, чем самая быстрая версия HBM2e – 819 ГБ/с против 460 ГБ/с.
Подобно предыдущим поколениям памяти типа High Bandwidth Memory, HBM3 в основном найдёт применение в центрах обработки данных, платформах машинного обучения, суперкомпьютерах, системах анализа климата. Игровые видеокарты на её основе не ожидаются. В игровой видеокарте HBM последний раз применялась в Radeon VII, и не сказать, что это было впечатляюще.
Источник:
Techpowerup
