Комитет JEDEC утвердил окончательные спецификации многослойной оперативной памяти HBM3 (стандарт JESD238). Компания SK Hynix уже приступила к производству нового типа памяти, Samsung планирует в течении весны.
Согласно спецификациям, в одной микросхеме HBM3 может сочетаться от 4 до 16 слоёв памяти, каждый ёмкостью от 8 до 32 Гбит. Говоря иными словами, возможны вариации ёмкостью от 4 ГБ до 64 ГБ. Что касается скоростных показателей, заявлено 6,4 Гбит/с на контакт, что 819 ГБ/с на стек. Для сравнения, продвинутая версия HBM2, HBM2e, как максимум может обеспечить 460 ГБ/с и ёмкость 16 ГБ.
В сегменте потребительской электроники HBM3 вряд ли будет применяться, или же крайне редко. В основном она найдёт применение в различных ускорителях вычислений для дата-центров, серверном оборудовании.