Hardware

Samsung поделилась планами в области памяти: в разработке DDR6-12800 с перспективой частоты 17 ГГц, GDDR6+, GDDR7 и HBM3

Samsung поделилась планами в области памяти: в разработке DDR6-12800 с перспективой частоты 17 ГГц, GDDR6+, GDDR7 и HBM3

Несколько дней назад компания Samsung провела мероприятие Tech Day 2021, в ходе которого раскрыла свои планы на будущее в сегменте энергозависимой памяти. К сожалению, на презентации всё было серьёзно, и каких-либо шпионских фото или слайдов нет. Но ресурс ComputerBase довольно подробно передал всё то, что рассказывали представители южнокорейского чипмейкера.

Samsung поделилась планами в области памяти: в разработке DDR6-12800 с перспективой частоты 17 ГГц, GDDR6+, GDDR7 и HBM3

Хотя DDR5 едва-едва вышла на рынок и ближайшие перспективы по доступности отнюдь не радужные, Samsung уже говорит про преемника. Стандарт DDR6 ещё не был сформирован JEDEC, но ожидается вдвое большая скорость передачи данных. Samsung упоминает DDR6-12800, а со временем память DDR6 достигнет частоты 17 ГГц. По слухам на каждый модуль будет приходиться 4 канала данных – вдвое больше, чем у DDR5.

Следующая порция информации касается различной видеопамяти. Первая на очереди GDDR6+ с частотой работы до 24 ГГц. Для справки, текущий стандарт GDDR6 предполагает частоту до 18 ГГц, а более продвинутая GDDR6X – до 21 ГГц.

Непонятно когда на смену GDDR6+ придёт GDDR7. Этот стандарт увеличит планку частоты до 32 ГГц и обеспечит «функцию защиты от ошибок в реальном времени». Дополнительных деталей пока нет.

И последняя на очереди многослойная память типа HBM. Samsung сообщает, что начнёт массовое производство HBM3 во втором квартале 2022 года. Между тем, SK Hynix уже завершила разработку собственной HBM3 с пропускной способностью 819 ГБ/с и ёмкостью 16/24 ГБ, но о сроках начала производства информации нет.

Источник:
ComputerBase



Leave a Comment

Your email address will not be published.