Тайваньская компания TSMC, являющаяся лидером отрасли контрактного производства полупроводников, планирует начать выпуск чипов по 3-нм техпроцессу ближе к концу года. Большую расторопность проявила компания Samsung, уже освоившая 3-нм технологию с транзисторами типа GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor).
Относительно 5-нм техпроцесса Samsung говорит об увеличении плотности чипа на 16%, повышении производительности на 23% и снижении энергопотребления до 45%. Кроме того, второе поколение 3-нм техпроцесса увеличит плотность на 35%, повысит быстродействие на 30% и снизит потребление вполовину.
Улучшение всех показателей частично обусловлено более тонким техпроцессом, частично новой компоновкой MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET), которая предполагает использование «нанолистов», обеспечивающих более широкий канал транзистора. Samsung может регулировать ширину канала в зависимости от потребностей для улучшения производительности или снижения потребления. Иными словами, это аналог TSMC FinFlex.
В первую очередь чипмейкер планирует использовать 3-нм техпроцесс для выпуска микросхем для сферы высокопроизводительных вычислений. После для мобильных процессоров.
Источник:
Samsung
