Окончательные спецификации стандарта многослойной памяти HBM3 были утверждены комитетом JEDEC всего 5 месяцев назад. Бывает, что от утверждения до начала массового производства хотя бы одним из чипмейкеров проходят годы, но в этот раз всё произошло оперативно. Компания SK Hynix объявила о начале поставок. В частности, для ускорителей вычислений NVIDIA H100.
Память SK Hynix HBM3 насчитывает от 4 до 16 слоёв, характеризуется ёмкостью от 4 ГБ до 64 ГБ на полный стек и может обеспечить 819 ГБ/с пропускной способности. Насколько ёмкие микросхемы компания начала поставлять не уточняется, но 819 ГБ/с в пресс-релизе фигурируют. Для справки, HBM третьего поколения под названием HBM2e как максимум имеет 16 ГБ ёмкости и 460 ГБ/с пропускной способности.
Чипы SK Hynix HBM3 в составе NVIDIA H100
Помимо NVIDIA, пока ни одна компания не объявила о намерениях использовать HBM3 в своих продуктах. Впрочем, в потребительской электронике многослойная память используется крайне редко, в основном в сетевом оборудовании и решениях для дата-центров.
О намерениях производить HBM3 также заявляла Samsung. Их чипы характеризуются ёмкостью до 24 ГБ с аналогичной SK Hynix пропускной способностью. Судя по каталогу Samsung, они уже доступны заказчикам.