Компания Kioxia, ранее именовавшая себя Toshiba Memory, сегодня объявила о разработке нового типа NAND-памяти Twin BiCS. По сравнению с имеющимися…
Категория: память
Цены на память типа DDR4 и DRAM-микросхемы соответственно всё снижаются уже в течении долгого времени. Согласно последним прогнозам, дно достигнуто,…
Китайская компания ChangXin Memory, ранее именовавшаяся Innotron Memory, сообщает о готовности производить микросхемы памяти DRAM типа DDR4 в массовых масштабах.…
Сегодня компания SK Hynix посредством пресс-релиза рапортует и завершении разработки 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4, производимых по техпроцессу 1z-нм. Новые…
Этот год и часть предыдущего оказались как никогда благоприятными для приобретения нового SSD-накопителя. Речь идёт не столько о появлении новых…
После появления QLC-памяти, где на одну ячейку приходится 4 бита информации, у производителей микросхем памяти типа NAND на ближайшие несколько…
У Intel/Micron в сегменте высокопроизводительной энергонезависимой памяти есть 3D XPoint. У Samsung есть Z-NAND, которая, по сути, топовая 3D NAND…
Согласно сообщению ресурса Nikkei, недавно установленные торговые ограничения между Японией и Южной Кореей могут в конечном итоге поставить под угрозу…
Китайская компания Tsinghua Unigroup вчера одним скромным предложением объявила о выходе на рынок DRAM-памяти. Это делает её уже третьим китайским…
Как сообщает ресурс EETimes, Intel полностью завершила работу над памятью типа MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory), и даже готова к производству…